[发明专利]一种改善金属层间介电层平坦度的方法

权利要求书

1.一种改善金属层间介电层平坦度的方法，其特征在于包括：

步骤1，提供一衬底，在该衬底上形成所需的结构，形成晶片结构；

步骤2，在该衬底上沉积一层金属层；

步骤3，在该金属层上沉积一层用于隔离另一金属层的介电层；

步骤4，在该晶片结构除边缘处之外的介电层上形成光阻结构，采用等离子蚀刻工艺蚀刻该晶片结构的未被光阻结构覆盖区域的介电层；

步骤5，对该介电层进行CMP研磨。

2.根据权利要求1所述的一种改善金属层间介电层平坦度的方法，其特征在于，上述光阻结构为正光阻。

3.根据权利要求1或2所述的一种改善金属层间介电层平坦度的方法，其特征在于，上述光阻结构的边缘区域为图案化的环状。

4.根据权利要求3所述的一种改善金属层间介电质平坦度的方法，其特征在于，上述光阻结构的曝光区域为重复性方形单元。

5.根据权利要求4所述的一种改善金属层间介电质平坦度的方法，其特征在于，上述光阻结构的曝光区域为重复性方形单元组成的双环状图案。