[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810176909.7 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101388391A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 津田信浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。CMOS反相器NT1、PT1包含在标准单元(51a)中。电源线电连接到CMOS反相器NT1、PT1，并且具有下层布线(32a)、(32b)以及上层布线(34c)、(34d)。下层布线(32a)、(32b)在沿着彼此相邻的标准单元(51a)的边界在边界上延伸。对于上层布线(34c)、(34d)来说，在平面图中与下层布线(32a)、(32b)相比位于标准单元(51a)的内侧。CMOS反相器NT1、PT1通过上层布线(34c)、(34d)电连接到下层布线(32a)、(32b)。由此，得到能够兼顾高速化以及高集成化这两者的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，具有所排列的多个标准单元，其中，具备：包含在上述标准单元中的功能元件；与上述功能元件电连接、并且具有下层布线以及上层布线的电源线，上述下层布线具有沿着彼此相邻的上述标准单元的边界在上述边界上延伸的部分，上述上层布线具有在平面图中与上述下层布线相比位于上述标准单元的内侧的部分，上述功能元件通过上述上层布线电连接到上述下层布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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