[发明专利]一种硅控整流器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810168280.1 | 申请日： | 2008-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101728428A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 石俊;夏洪旭 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅控整流器及其制造方法，该硅控整流器包括半导体衬底，该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于上述N阱与P阱相接合的位置的第三P+掺杂区或第三N+掺杂区；以及该第三P+掺杂区或第三N+掺杂区下方的N阱或P阱中的第四N-掺杂区或第四P-掺杂区。本发明的有益效果在于可以大大降低SCR结构的触发电压值，进而提高其ESD的整体防护能力；可以根据设计者的不同需求调节新的SCR结构的触发电压值，在不同的电路设计中，使其发挥最优的ESD防护能力；在相同的ESD防护需求下，能更节省面积，进而降低设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅控整流器，其特征在于包括半导体衬底，该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于上述N阱与P阱相接合的位置的第三P+掺杂区或第三N+掺杂区；以及该第三P+掺杂区或第三N+掺杂区下方的N阱或P阱中的第四N-掺杂区或第四P-掺杂区。
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