[发明专利]一种硅控整流器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810168280.1 | 申请日： | 2008-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101728428A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 石俊;夏洪旭 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 及其 制造 方法 | ||
1.一种硅控整流器，其特征在于包括
半导体衬底，
该半导体衬底上方的N阱和P阱；
形成于N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；
形成于P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；
形成于上述N阱与P阱相接合的位置的第三P+掺杂区或第三N+掺杂区；以及
该第三P+掺杂区或第三N+掺杂区下方的N阱或P阱中的第四N-掺杂区或第四P-掺杂区。
2.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于上述第四N-掺杂区或第四P-掺杂区通过植入的方式形成，其植入的能量和剂量根据所需的触发电压值决定。
3.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于各P+掺杂区和N+掺杂区之间具有隔离结构，第三P+掺杂区或第三N+掺杂区与其相邻的掺杂区之间具有隔离结构。
4.一种形成如权利要求1所述的硅控整流器的方法，其特征在于包括
提供半导体衬底，
在上述半导体衬底上方形成多个阱区，该多个阱区包括N阱和P阱；
在上述多个阱区中进行浅槽隔离结构；
在上述多个阱区中的至少一个中形成由浅槽隔离结构分隔的至少一个第一P+掺杂区和至少一个第一N+掺杂区，以及上述多个阱区中的至少一个中形成由浅槽隔离结构分隔的至少一个第二P+掺杂区和至少一个第二N+掺杂区；
在上述N阱与P阱相接合的位置形成第三P+掺杂区或第三N+掺杂区，该第三P+掺杂区或该第三N+掺杂区与相邻的掺杂区之间由浅槽隔离结构隔离；以及
在该第三P+掺杂区或第三N+掺杂区下方的N阱或P阱中形成第四N-掺杂区或第四P-掺杂区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于上述第四N-掺杂区或第四P-掺杂区通过植入的方式形成，其植入的能量和剂量根据所需的触发电压值决定。
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