[发明专利]具有精细隐埋绝缘层的SOI衬底有效

申请号：	200810166769.5	申请日：	2008-10-27
公开（公告）号：	CN101419911A	公开（公告）日：	2009-04-29
发明（设计）人：	迪迪埃·朗德吕;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒	申请（专利权）人：	硅绝缘体技术有限公司
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/31
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司	代理人：	丁香兰;谢栒
地址：	法国***	国省代码：	法国;FR
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摘要：	本发明涉及具有精细隐埋绝缘层的SOI衬底。本发明提供了一种制造具有精细隐埋的厚度为2nm～25nm的绝缘层的半导体结构(6)或(6’)或(6”)的方法，其包括以下步骤：在第一衬底(1)的表面(3’)和/或第二衬底(2)的表面(4’)上形成绝缘层(3)和(4)中的至少一层，所述表面(3’)和(4’)上没有绝缘体或者具有所述衬底暴露于环境之中时所形成的本征氧化层；将所述第一衬底(1)和第二衬底(2)组装在一起；将所述第一衬底(1)减薄以获得所述半导体结构，所述绝缘层形成步骤包括基于氧化性气体和/或氮化性气体的等离子体活化。
搜索关键词：	具有精细绝缘 soi 衬底
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【主权项】：

1. 一种制造具有精细隐埋的厚度为2nm～25nm的绝缘层的半导体结构(6)或(6’)或(6”)的方法，其包括以下步骤：在第一衬底(1)的表面(3’)和/或第二衬底(2)的表面(4’)上形成绝缘层(3)和(4)中的至少一层，所述表面(3’)和(4’)上没有绝缘体或者具有所述衬底暴露于环境之中时所形成的本征氧化层；将所述第一衬底(1)和第二衬底(2)组装在一起；将所述第一衬底(1)减薄以获得所述半导体结构，其特征在于所述绝缘层形成步骤是基于氧化性气体和/或氮化性气体的等离子体活化。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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