[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810161878.8 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101609842A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王大维;张智胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置，包含一栅极叠层；一气隙，位于所述栅极叠层下；一半导体层，垂直位于所述栅极叠层与所述气隙之间；以及一第一介电层，位于所述的半导体层之下且邻接于所述半导体层。而所述的第一介电层是暴露于所述的气隙，藉由在气隙中形成介电层，以确保气隙的形成，使硅架空金氧半场效晶体管的短通道效应获得改善，且也能降低漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于其包含：一栅极叠层；一气隙，位于该栅极叠层下；一半导体层，垂直于该栅极叠层与该气隙之间；以及一第一介电层，位于该半导体层之下且邻接于该半导体层，其中该第一介电层暴露于该气隙。
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