[发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置

摘要

本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。

主权项

1.一种半导体处理用成膜方法，其在能够选择性地供给包括硅烷类气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体，并且与用于在供给所述第二处理气体时进行激励的激励机构连通的处理容器的处理区域内，在被处理基板上形成氮化硅膜，其特征在于：所述方法包括通过在配置有所述被处理基板的所述处理区域内进行多个循环并将在每个所述循环中形成的薄膜层叠，在所述被处理基板上形成具有规定厚度的氮化硅膜的成膜处理，所述各循环包括：第一供给工序，进行所述第一处理气体相对于所述处理区域的供给，另一方面，维持遮断所述第二处理气体相对于所述处理区域的供给；和第二供给工序，进行所述第二处理气体相对于所述处理区域的供给，另一方面，维持遮断所述第一处理气体相对于所述处理区域的供给，所述方法实质上不变更对所述处理区域的设定加热温度而混合地多个重复第一循环组和第二循环组，其中，所述第一循环组由所述第二供给工序包括将所述第二处理气体在通过所述激励机构激励的状态下向所述处理区域供给的激励期间的循环构成，所述第二循环组，由所述第二供给工序不包括通过所述激励机构激励所述第二处理气体的期间的循环构成。