[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810114597.7 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101604716A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 秦志新;桑立雯;杨志坚;方浩;于彤军;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外发光二极管(LED)及其制备方法，采用低温GaN插入层取代AlN/AlGaN超晶格或高温GaN插入层来生长深紫外LED，该低温GaN插入层是在温度400-900℃，压力30-200torr，V/III 1500-2500条件下生长的厚度为20-50nm的GaN层。该方法可有效降低外延AlGaN层以及量子阱中的位错密度，提高表面平整度，所制备的LED器件表面光滑，晶体质量良好，开启电压下降，器件的串联电阻较小，电致发光峰值在300-370nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外发光二极管，包括在衬底上依次叠加的AlN模板层、低温GaN插入层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、AlGaN有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN过渡层和p型GaN层，其中：AlGaN有源层为发射深紫外光波段的量子阱；n型AlGaN层作为n型接触层；p型GaN层作为p型接触层；低温GaN插入层是在温度400-900℃，压力30-200torr，V/III 1500-2500条件下生长的厚度为20-50nm的GaN层。
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