[发明专利]化合物半导体晶片、发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810109052.7 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312229A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 高桥健 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体晶片、发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括含有发光层(22)的化合物半导体晶体层(2)和通过金属层(5)被粘结到晶体层(2)的导电基底(6)。所述金属层(5)包括在所述化合物半导体晶体层(2)的一个主要表面上形成的第一金属层(51)、在所述导电基底(6)的一个主要表面上形成的第二金属层(53)以及在第一金属层(51)和第二金属层(53)之间形成的多孔金属微粒层，所述多孔金属微粒层包含平均直径为1nm～100nm且被互相粘结的金属微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 晶片 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体晶片，包括：化合物半导体晶体层；以及通过金属层粘结到所述化合物半导体晶体层的导电基底，其中，所述金属层包括含有平均直径为1nm～100nm且互相粘结的金属微粒的多孔金属微粒层。
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