[发明专利]一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法无效
| 申请号： | 200810105970.2 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101281927A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林大野;骆国泉;方绍明 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100871北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法，涉及半导体芯片工艺技术领域，解决了现有的MOSFET晶体管的栅极容易被击穿或产生漏电的技术问题。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极，包括栅极介质层以及栅极本体，栅极介质层形成于半导体材料的外延层和阱上，栅极本体形成于栅极介质层上，栅极介质层包括形成于外延层和阱上的第一介质层以及在第一介质层上形成的致密介质层。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极的制造方法，包括如下步骤：在半导体材料的外延层和阱上形成第一介质层；在第一介质层上形成致密介质层；在致密介质层上形成栅极本体。本发明主要应用于晶体管等半导体器件中栅极的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 晶体管 栅极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOSFET晶体管的栅极，包括栅极介质层以及栅极本体，所述栅极介质层形成于半导体材料的外延层和阱上，所述栅极本体形成于所述栅极介质层上，其特征在于：所述栅极介质层包括形成于所述外延层和阱上的第一介质层以及在所述第一介质层上形成的致密介质层。
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