[发明专利]非易失性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810096285.8 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101488528A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器，此存储器包括衬底、源极/漏极区、第一绝缘层、电荷储存层、第二绝缘层与导体层。源极/漏极区是分别配置于衬底中，且相邻一距离。第一绝缘层配置于源极/漏极区之间的衬底上。电荷储存层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于电荷储存层上，而且第二绝缘层的周围区域的厚度大于其中心区域的厚度。导体层配置于第二绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器，其特征在于，包括：一衬底；一第一绝缘层，配置于二源极/漏极区之间的该衬底上；一第二绝缘层，具有一周围区域以及一中心区域；一电荷储存层，配置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，其中该第二绝缘层的该周围区域的厚度大于该第二绝缘层的该中心区域的厚度；以及一导体层，配置于该第二绝缘层上。
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