[发明专利]有源元件阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200810095812.3 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101261962A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 方国龙;林祥麟;林汉涂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种有源元件阵列基板及其制造方法,本发明通过形成图案化第一金属层、绝缘层、图案化半导体层、与图案化金属复层等,作为阵列基板中的薄膜晶体管、栅极导线、栅极连接焊盘、数据导线、数据连接焊盘及存储电极等元件,并通过对特定膜层部分进行选择性蚀刻步骤的手段,形成具有底切结构的膜层配置,进而减少阵列基板制造方法中所涉及的程序复杂且耗时的光掩模蚀刻程序次数,以相对简易且省时的工艺步骤提供一阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 有源 元件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源元件阵列基板的制造方法,包括:提供一基板;形成一图案化第一金属层于该基板上,该图案化第一金属层包含多条栅极导线、以及与所述多条栅极导线相连接的多个栅极及多个栅极连接焊盘;形成一第一绝缘层于该基板与该图案化第一金属层上;形成一图案化半导体层于部分该第一绝缘层上;形成一图案化金属复层于该第一绝缘层与该图案化半导体层上,该图案化金属复层包含多条数据导线、多个漏极、多个存储电极以及与所述多条数据导线连接的多个源极与多个数据连接焊盘,其中所述多个源极与所述多个漏极位于所述多个栅极上方,且各所述漏极与各所述存储电极分别具一漏极开口与一存储电极开口,其中所述多个漏极开口与所述多个存储电极开口均暴露出部分该图案化半导体层;形成一全面覆盖的第二绝缘层;图案化该第二绝缘层与该第一绝缘层,以暴露所述多个漏极开口的一部分、所述多个存储电极开口的一部分、所述多条数据导线的一部分、所述多个数据连接焊盘的一部分、所述多条栅极导线的一部分、以及所述多个栅极连接焊盘的一部分;进行一蚀刻工艺,以选择性移除所述多个经暴露的部分该图案化金属复层;以及形成一图案化导电层,该图案化导电层包含分别电性连结于所述多个漏极的多个像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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