[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

摘要

提供一种在将多根导线连接于半导体芯片上的同一电极上的结构中、能够抑制电极面积的半导体器件的制造方法。首先，进行将第1球压接于半导体芯片上的电极的球形结合以形成第1连接部，然后对内部引线进行楔形结合。接着，进行从正上方将第2球压接于第1连接部上的球形结合以形成第2连接部，然后对内部引线进行楔形结合。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：第1结合工序和第2结合工序，其中在第1结合工序中，在从导线提供装置突出的导线的前端形成球，进行将该球压接在半导体芯片上的电极或配置于半导体芯片周围的引线或者布线构件上的球形结合，然后使导线提供装置移动，从而对连接对象构件进行楔形结合；在第2结合工序中，在从导线提供装置突出的导线的前端形成球，进行将该球从正上方压接在所述第1结合工序所进行球形结合后的部分上的球形结合，然后使导线提供装置移动，从而对所述第1结合工序中的连接对象构件或者与之不同的连接对象构件进行楔形结合。