[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件，特别涉及采用引线框或者布线基板的封装技术。

背景技术

近些年，作为半导体器件的形态，广泛地应用了采用引线框的QFP(quad flatpackage：方形扁平封装)等。下面，采用附图来说明以往的一般QFP型半导体器件。

图17表示以往的一般QFP型半导体器件的剖面图，图18表示放大以往的一般QFP型半导体器件的内部结构的一部分后得到的图。

如图17、图18所示，在以往的一般QFP型半导体器件中，形成有集成电路的半导体芯片1安装于引线框的裸片焊盘(ダイパツド)部2上。另外，引线框的多根引线4呈放射状地配置于裸片焊盘部2的周边，该呈放射状配置的各引线4的内部引线4a的前端与裸片焊盘部2对置。另外，导线5将形成于半导体芯片1的表面上的电极3与内部引线4a连接。另外，树脂密封体6将半导体芯片1、导线5和内部引线4a一起进行树脂密封。另外，与内部引线4a连续的引线框的外部引线4b在树脂密封体6的外部弯曲成形为鸥翼型。另外，图18所示的裸片焊盘支座24将裸片焊盘部2保持于引线框。

接着，说明以往的一般QFP型半导体器件的制造方法。

首先，将半导体芯片1安装于用金属板所形成的引线框的裸片焊盘部2上(芯片接合工序)。

另外，因为引线框与多个半导体器件同时形成、或者按顺序依次形成，所以与各半导体器件对应的矩形图案是在同一平面上的左右方向或者上下方向上用框架连接而得到的结构。另外，各矩形图案的结构如下所述，即裸片焊盘部2配置于中央位置，多个引线4的外端部与框架连接，裸片焊盘支座24将裸片焊盘部2保持在框架上。

接着，用导线5连接形成于半导体芯片1的表面的电极3、以及配置于裸片焊盘部2周围的内部引线4a(导线结合工序)。

接着，通过用密封树脂将半导体芯片1、裸片焊盘部2、导线5以及内部引线4a一起进行树脂密封，从而形成树脂密封体6(树脂密封工序)。

最后，将外部引线4b按照规定长度从框架切断，从而分离成单片，然后将外部引线4b加工成规定的形状。

实行上述各工序，从而得到半导体器件的成品。

另外，作为导线结合方法，同时采用超声波及热压接的结合方式是目前的主流方式。该结合方式的工序如下所述。

(1)通过放电在从毛细管前端突出的导线的前端形成球，(2)通过提供热和超声波，同时用毛细管将该球按压在一侧的连接点上，从而使导线的一端(球)与一侧的连接点连接(球形结合)，(3)从毛细管引出导线，同时使毛细管向另一侧的连接点侧移动，(4)通过提供热和超声波，同时用毛细管前端部将导线擦压在另一侧的连接点上，从而使导线的另一端与另一侧的连接点连接(楔形结合)。

另外，一般在半导体芯片的电极一侧上进行球形结合。

在上述结构的QFP型半导体器件中，近些年，随着集成电路的高集成化以及高密度化，半导体器件朝着多引脚化以及引线的窄间距化发展(例如，参照香山晋、成濑 邦彦 监修、[实践讲座VLSI组装技术(下)]、日经株式会社BP、1993年5月31日发行、P165～P170。)。然而，即使多引脚化以及引线的窄间距化不断发展，但QFP型半导体器件的外形和引脚数在业界已经形成标准化了。因此，在QFP型半导体器件中，为了在有限的引脚数中保持高集成化后的半导体芯片，集中将电源电极或接地电极等能够通用的电极与同一引线连接。图19A及图19B是表示将分别与多个电极3连接的各导线5和同一内部引线4a连接的状态的模式图。在图19A中，表示将2根导线5与同一内部引线4a连接的状态。另外，在图19B中，表示将3根导线5与同一内部引线4a连接的状态。

发明内容

如上所述，在以往的QFP型半导体器件中，是集中将电源电极和接地电极等能够通用的电极与同一引线连接。另一方面，由于每1个半导体芯片的电路规模飞速增大，所以开始需要用于确保向电源电极及接地电极提供稳定电流的布线。与其相反，由于半导体组装技术的进步和低成本化的要求，开始谋求实现作为半导体器件的布线材料的以Au导线为代表的金属导线的细线化。为了解决这样的相反的两个问题，在以往的QFP型半导体器件中，用多根导线来连接1个电极和1根内部引线。

然而，通常由于为了要以充足的强度来接合导线则需要一定以上的面积，所以在将多根导线与同一电极连接的情况下，过去，必须将电极的面积设置成能够对多根导线进行球形结合的大小。这种情况阻碍了缩小芯片面积。