[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

包括：第1结合工序和第2结合工序，

其中在第1结合工序中，在从导线提供装置突出的导线的前端形成球，进行将该球压接在半导体芯片上的电极或配置于半导体芯片周围的引线或者布线构件上的球形结合，然后使导线提供装置移动，从而对连接对象构件进行楔形结合；

在第2结合工序中，在从导线提供装置突出的导线的前端形成球，进行将该球从正上方压接在所述第1结合工序所进行球形结合后的部分上的球形结合，然后使导线提供装置移动，从而对所述第1结合工序中的连接对象构件或者与之不同的连接对象构件进行楔形结合。

2.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第2结合工序反复进行2次以上，从而使多根导线与所述电极或者所述引线或者所述布线构件连接。

3.如权利要求2中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

当反复进行所述第2结合工序时，利用楔形结合使至少1根导线与所述第1结合工序中的连接对象构件实现连接。

4.如权利要求2中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在反复进行所述第2结合工序时，利用楔形结合使至少2根导线和与所述第1结合工序中的连接对象构件不同的同一连接对象构件实现连接。

5.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

还包括：在从导线提供装置突出的导线的前端形成球、将该球压接于所述第1结合工序或者所述第2结合工序中进行楔形结合的部分上以形成凸点的凸点形成工序，当进行所述第1结合工序或者所述第2结合工序时，在所述凸点上进行楔形结合。

6.一种半导体器件，其特征在于，

包括：

半导体芯片；

所述半导体芯片所具有的电极；

安装所述半导体芯片的芯片安装部；

配置于所述芯片安装部周围的引线或者布线构件；

将所述半导体芯片所具有的所述电极和所述引线或布线构件连接起来的导线；以及

至少将所述半导体芯片、所述芯片安装部、所述导线、以及所述引线或布线构件的与所述导线的连接部分用树脂密封的树脂密封体，

在所述半导体芯片所具有的所述电极之中的至少一个上，重叠多根所述导线各自一端的连接部以实现连接，并且将它们的连接部形成为球形结合法特有的、从压扁成具有厚度的硬币状的突起部的大致中央引出导线的形状。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

一端与所述半导体芯片所具有的所述电极重叠并连接的多根所述导线之中的至少一部分，它们的另一端与同一所述引线或布线构件连接，并且将其形成为楔形结合法特有的无厚度的月牙形或者椭圆形的形状。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

具有多个所述半导体芯片，一端与至少1处的所述半导体芯片所具有的至少1处的所述电极重叠并连接的多根所述导线之中的至少一部分，它们的另一端与其它的所述半导体芯片所具有的电极连接，并且将其形成为楔形结合法特有的无厚度的月牙形或者椭圆形的形状。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

具有多个所述半导体芯片，一端与至少1处的所述半导体芯片所具有的至少1处的所述电极重叠并连接的多根所述导线的一部分，该一部分的另一端与其它的所述半导体芯片所具有的电极连接，并且将其形成为楔形结合法特有的无厚度的月牙形或者椭圆形的形状；而其它的一部分的另一端与所述引线或布线构件连接，并且将其形成为楔形结合法特有的无厚度的月牙形或者椭圆形的形状。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述芯片安装部以及所述引线是加工金属板而制作得到的引线框的构成构件。

11.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述芯片安装部以及所述布线构件是布线基板的构成构件。