[发明专利]形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200810091155.5 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101286475A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成半导体结构的方法，包括：形成牺牲层于基底上；形成第一介电层于该牺牲层上；形成多个导电结构于该牺牲层与该第一介电层内；处理该牺牲层并穿透该第一介电层，以部分移除该牺牲层并于这些导电结构中两个之间形成至少一个气隙；处理了该第一介电层的表面，以于形成该气隙后于该第一介电层上形成第二介电层；形成第三介电层于该第二介电层上；以及形成至少一个第一开口于该第三介电层内，其中该第二介电层大体保护了该第一介电层免于形成该第一开口时受到毁损。根据本发明的半导体结构形成方法可以形成一种具有气隙的内连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成半导体结构的方法，包括下列步骤：形成牺牲层于基底上；形成第一介电层于所述牺牲层上；形成多个导电结构于所述牺牲层与所述第一介电层内；施行第一表面处理程序以处理所述牺牲层并穿透所述第一介电层，以部分移除所述牺牲层并于所述多个导电结构中两个之间形成至少一个气隙；施行第二表面处理程序以处理所述第一介电层的表面，以于形成所述气隙后于所述第一介电层上形成第二介电层；形成第三介电层于所述第二介电层上；以及形成至少一个第一开口于所述第三介电层内，其中所述第二介电层大体保护了所述第一介电层免于形成所述第一开口时受到毁损。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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