[发明专利]半导体发光器件和氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810088422.3 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276875A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括n型半导体层、有源层、n型半导体层和有源层之间的第一p型半导体层，以及在有源层的与第一p型半导体层相对的侧上的第二p型半导体层。此外，本发明涉及氮化物半导体发光器件，其包括n型氮化物半导体层、氮化物半导体有源层、n型氮化物半导体层和氮化物半导体有源层之间的第一p型氮化物半导体层、以及在氮化物半导体有源层的与第一p型氮化物半导体层相对的侧上的第二p型氮化物半导体层。根据本发明，能够抑制有源层的结晶度恶化并具有高发光效率和高电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 氮化物 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：n型半导体层；有源层；在所述n型半导体层和所述有源层之间的第一p型半导体层；和第二p型半导体层，在所述有源层的与所述第一p型半导体层相对的侧上。
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