[发明专利]屏蔽栅极沟槽技术中对蚀刻深度的测定有效
| 申请号： | 200810086658.3 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101271855A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 楼盈盈;李铁生;王宇;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法以及一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层测试区域之上设有抗蚀性涂层。所述的抗蚀性涂层不覆盖所述的沟槽。所述的材料层被同方向地蚀刻。从涂层下材料的蚀刻特性来测定蚀刻深度。上述方法可应用于形成SGT结构。晶圆包括材料层，所述的材料层至少设置在半导体晶圆表面的一部分上；抗蚀性涂层，所述的抗蚀性涂层包括一个设置在材料层一部分上的三角形测试区域；标尺，所述的标尺标识在接近于测试区域的底层表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 栅极 沟槽 技术 蚀刻 深度 测定 | ||
【主权项】：
1、一种测定蚀刻深度的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：在具有沟槽的底层的一部分上形成一个材料层，通过这一方法在所述的沟槽内填充该材料；步骤2：在材料层的测试区域上放置涂层，所述的涂层不覆盖所述的沟槽；步骤3：同方向地蚀刻所述的材料层；步骤4：基于涂层的一部分下面材料的蚀刻特性，测定沟槽内材料的蚀刻深度DT。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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