[发明专利]半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200810086303.4 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101436559A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王忠裕;李建勋;曹佩华;张国钦;林忠毅;江浩然 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括在半导体衬底的第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括两个以上柱状物的阵列，柱电极电连接至半导体衬底的线路层，沉积缓冲层于第一表面上，缓冲层密封阵列，移除部分的缓冲层及部分的柱电极，而使柱电极的上表面低于残余的缓冲层的上表面，沉积导电覆盖层于柱电极的上表面上，其中导电覆盖层低于残余的缓冲层的上表面，以及放置焊球于导电覆盖层上，其中焊球与导电覆盖层之间的焊接点低于残余的缓冲层的上表面。本发明能够增进WLCSP中的焊球接点的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体元件的制造方法，包括：在半导体衬底的第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括两个以上柱状物的阵列，该柱电极电连接至所述半导体衬底的线路层；沉积缓冲层于所述第一表面上，所述缓冲层密封所述阵列；移除部分的所述缓冲层，而使所述柱电极的上表面低于残余的所述缓冲层的上表面；沉积导电覆盖层于所述柱电极的上表面上，其中所述导电覆盖层低于残余的所述缓冲层的上表面；以及放置焊球于所述导电覆盖层上，其中所述焊球与所述导电覆盖层之间的焊接点低于残余的所述缓冲层的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086303.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法、以及电子设备
- 下一篇：瓦楞纸坐具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
