[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 200810083805.1 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101262121A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田保明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/028;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在涂敷膜和半导体之间具备容易形成的粘合层的半导体激光装置。半导体激光装置具备：沿激光的行进方向设置的谐振器、设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)、设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)上分别形成有粘合层(21)、(23)，和涂敷膜(22)、(24)。粘合层(21)、(23)最好由Al、Ti、Nb、Zr、Ta、Si或Hf的阳极氧化膜构成，且厚度为10nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系半导体激光装置，其特征在于，具备：沿激光的行进方向设置的谐振器；设于所述谐振器的一端、且射出所述激光的第一端面；以及设于所述谐振器的另一端的第二端面，在所述第一端面及所述第二端面的至少一个面上具有由金属或硅的阳极氧化膜构成的粘合层、和涂敷膜。
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