[发明专利]半导体激光装置

说明书

技术领域

本发明涉及光盘系统或光通信等中所使用的半导体激光装置，更详细地说，涉及使用了氮化镓系半导体的蓝色半导体激光装置。

背景技术

半导体激光装置被广泛用于光盘系统或光通信等中(例如，参照专利文献1～3。)。这样的半导体激光装置具有用于产生激光的谐振器。在其一端设有用于射出激光的前端面，在其另一端设有后端面。在前端面和后端面上包覆有叫做涂敷膜的绝缘膜，以减小半导体激光的工作电流、防止反射光、实现高输出。

通常，在要求高输出的半导体激光装置中，在前端面侧形成有反射率低的涂敷膜，在后端面侧形成有反射率高的涂敷膜。后端面侧的涂敷膜的反射率通常在60％以上，优选80％以上。前端面的反射率不仅是低就可以，而且要根据半导体激光所要求的特性进行选定。例如，在和光纤光栅一起使用的光纤放大器激励用半导体激光器中反射率选定为0.01～3％程度，在通常的高输出半导体激光器中反射率选定为3～7％程度，在需要反射光对策的情况下，反射率选定为7～20％程度。

涂敷膜也可以作为端面的保护膜即半导体界面的钝化膜发挥作用(例如，参照专利文献3。)。但是，因为按照膜的形成方法，端面受到损害导致特性劣化，所以，其制法愈显重要。

在专利文献4中，使用阳极氧化膜作为GaInAsP半导体的保护膜。另一方面可知，在现有氮化镓系半导体激光器中，容易引起涂敷膜剥离，发生端面劣化。作为其对策，将薄的金属或其氧化膜作为粘合层插入涂敷膜和半导体之间的结构已被提出(参照专利文献5)。另外，将薄的六方晶体的结晶作为粘合层插入涂敷膜和半导体之间的结构也已被提出(参照专利文献6)。

专利文献1：特许第3080312号公报

专利文献2：特开2002-100830号公报

专利文献3：特开2004-296903号公报

专利文献4：特开昭59-232477号公报

专利文献5：特开2002-335053号公报

专利文献6：特开2006-203162号公报

但是，金属粘合层在电绝缘性(短路)方面存在问题。另外，用溅射法制作金属氧化膜的情况在厚度控制方面存在问题。进而，最好是，涂敷膜为非结晶或单结晶，但六方晶体的单结晶制作较困难。

发明内容

本发明是为解决上述问题而开发的，其目的在于，提供一种在涂敷膜和半导体之间具备容易形成的粘合层的半导体激光装置。

本发明的其它目的及优点从以下的记载可以明了。

本发明涉及氮化镓系半导体激光装置，其特征在于，具备：沿激光的行进方向设置的谐振器；设于所述谐振器的一端且射出所述激光的第一端面；以及，设于所述谐振器的另一端的第二端面，在所述第一端面及所述第二端面的至少一个面上具有由金属或硅的阳极氧化膜构成的粘合层，和涂敷膜。

根据本发明，由于在涂敷膜和半导体之间形成有粘合层，因此，可以得到长寿命的半导体激光装置。

附图说明

图1是本实施方式的半导体激光装置的立体图；

图2(a)是图1的半导体激光装置的前端面附近的放大剖面图，(b)是(a)的比较例；

图3是可适用于本实施方式的半导体激光装置的制造中的等离子体阳极氧化装置的结构图。

符号说明

1   GaN衬底

2   n型包层

3   活性层

4   p型包层

5   脊

6   p电极

7    n电极

8    前端面

9    后端面

21，23   粘合层

22，24，32，34   涂敷层

101  等离子体阳极氧化装置

102  真空容器

103  上部电极

104  下部电极

105  气体导入管

107  高频电源

108  高频线圈

109  DC电源

110  激光杆

111  石英罩

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在各图中，对相同或相当的部分付与相同符号，对其说明简化乃至省略。

图1表示本实施方式的半导体激光装置的立体图。该半导体激光装置是发生蓝色激光的氮化镓系半导体激光装置，并且是使用GaN衬底1形成的。