[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 200810083805.1 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101262121A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田保明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/028;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓系半导体激光装置，其特征在于，具备：
沿激光的行进方向设置的谐振器；
设于所述谐振器的一端、且射出所述激光的第一端面；以及
设于所述谐振器的另一端的第二端面，
在所述第一端面及所述第二端面的至少一个面上具有由金属或硅的阳极氧化膜构成的粘合层、和涂敷膜。
2.如权利要求1所述的氮化镓系半导体激光装置，其特征在于，
所述粘合层由铝(Al)、钛(Ti)、铌(Nb)、锆(Zr)、钽(Ta)、硅(Si)或铪(Hf)的阳极氧化膜构成，且厚度为10nm以下。
3.如权利要求2所述的氮化镓系半导体激光装置，其特征在于，
所述阳极氧化膜是通过等离子体阳极氧化而形成的氧化膜。
4.如权利要求2或3所述的氮化镓系半导体激光装置，其特征在于，
所述阳极氧化膜是在200～600℃下进行退火而形成的氧化膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810083805.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
