[发明专利]半导体存储器装置和控制器及其读写控制方法无效

专利信息
申请号: 200810083561.7 申请日: 2004-10-13
公开(公告)号: CN101286137A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 中西雅浩;泉智绍;笠原哲志;田村和明;松野公则 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 董莘
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了半导体存储器装置和控制器及其读写控制方法。将控制器102和4个闪速存储器F0~F3的各2个连接到2条存储器总线上,将各闪速存储器分割为大致相等的大小的区域,形成前后半区域。在4存储器结构时,以每个规定的大小区分由主机指定的连续逻辑地址,按下述顺序以重复巡回F0、F1、F2、F3的形式进行写入。在2存储器结构时,以重复巡回F00、F10、F01、F11的形式进行写入。这样,与连接到控制器上的闪速存储器的数目无关地谋求控制器处理的共用化。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 控制器 及其 读写 控制 方法
【主权项】:
1、一种基于信号来记录数据的半导体存储器装置,包括:多个记录区,在所述多个记录区中记录所述数据;控制器,所述控制器接收所述信号,并且控制在所述记录区中的数据的记录;将所述控制器与所述记录区相连的总线;其中所述信号包括用于记录所述数据的地址信息;所述控制器确定起始记录区以及所述数据将被记录到的记录区的顺序,并且基于所述顺序记录所述数据。
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