[发明专利]电熔丝的制造方法和半导体结构有效
| 申请号： | 200810082602.0 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101256978A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 许履尘;J·A·曼德尔曼;W·R·通蒂;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法，该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层，(b)在衬底层中的第一熔丝电极，以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口，以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境，(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域，以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极，以及(iii)在所述形成熔丝区域之后，用电介质材料填充该开口。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 制造 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝制造方法，包括以下步骤：在衬底中形成第一电极；在所述第一电极之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口，以便所述第一电极通过所述开口暴露于周围环境；在所述开口的侧壁和底壁上形成熔丝元件，以便所述第一电极和所述熔丝元件电耦合在一起；以及用电介质材料填充所述开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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