[发明专利]半导体元件有效

专利信息
申请号: 200810080484.X 申请日: 2008-02-19
公开(公告)号: CN101515613A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 姚久琳;陈泽澎;谢明勋 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;G02F1/13357;H05B37/00;H05B37/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体元件、背光模块装置及照明装置。该半导体元件包含有半导体叠层、电极、与一利用纳米压印技术所形成的导电结构形成于电极与半导体叠层之间,使电流可以透过电极与导电结构,均匀的分散至半导体叠层之中。上述的导电结构具有顶部宽度、底部宽度与高度,且其顶部宽度小于底部宽度或其高度大于底部宽度。
搜索关键词: 半导体 元件
【主权项】:
1.一种半导体元件,包含:半导体叠层;以及导电结构,形成于该半导体叠层之上,且具有与该半导体叠层接触的底部宽度,位于该底部宽度的相对侧的顶部宽度,以及一高度为该底部宽度与该顶部宽度的距离,其中该顶部宽度与该底部宽度的比值小于0.7,且较佳为小于0.35。
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