[发明专利]半导体元件有效
申请号: | 200810080484.X | 申请日: | 2008-02-19 |
公开(公告)号: | CN101515613A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 姚久琳;陈泽澎;谢明勋 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;G02F1/13357;H05B37/00;H05B37/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件,包含:
半导体叠层;
电极,形成于该半导体叠层之上,以及
多个导电结构,形成于该半导体叠层之上,并与该电极电性相连,以作 为分散电流之用,且该多个导电结构的每一个具有与该半导体叠层接触的底 部宽度,位于该底部宽度的相对侧的顶部宽度,以及一高度为该底部宽度与 该顶部宽度的距离,其中该顶部宽度与该底部宽度的比值小于0.7,且该底 部宽度小于5μm。
2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该顶部宽度与该底部宽度的比 值为小于0.35。
3.如权利要求1所述的半导体元件,其中该底部宽度为0.1μm~3μm或 小于该半导体元件的发光波长。
4.如权利要求1所述的半导体元件,其中该高度大于该底部宽度。
5.如权利要求1所述的半导体元件,其中该高度为该底部宽度的1.5倍 以上。
6.如权利要求1所述的半导体元件,其中还包含粗糙化结构或周期性凹 凸结构于该半导体叠层的表面或具有一平均粗糙度大于0.1μm的该半导体 叠层的表面。
7.如权利要求1所述的半导体元件,还包含一保护层形成于该导电结构 的侧壁。
8.如权利要求1所述的半导体元件,还包含一透明导电层覆盖于该导电 结构之上或另一透明导电层形成于该导电结构与该半导体叠层之间。
9.如权利要求1所述的半导体元件,还包含多个沟槽位于该半导体叠层 之中,并以一绝缘保护层填满。
10.如权利要求1所述的半导体元件,其中该导电结构是导电点结构 或导电线结构。
11.如权利要求1所述的半导体元件,其中该导电结构是导电线结构, 以及还包含一电极直接形成于该导电线结构的上方。
12.一种背光模块装置,包含:
光源装置,由权利要求1~11所述的任一半导体元件所组成;
光学装置,位于该光源装置的出光路径上;以及
电源供应系统,提供该光源装置所需的电源。
13.一种照明装置,包含:
光源装置,由权利要求1~11所述的任一半导体元件所组成;
电源供应系统,提供该光源装置所需的电源;以及
控制元件,控制该电源供应系统输入该光源装置的电源。
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