[发明专利]一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法无效
| 申请号： | 200810070719.7 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101245482A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 熊兆贤;林丞 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法，涉及一种导电高分子材料聚吡咯。提供一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法。1)吡咯使用前采用常压蒸馏，取128～131℃的馏分，避光氮气气氛下冷藏；2)将高氯酸锂或对甲苯磺酸钠溶于水中得溶液A；3)在溶液A中加入步骤1)所得的吡咯，通氮气得溶液B；4)将基片打磨后依次放入乙醇和水中超声波清洗；5)在三电极电解池中，将步骤4)所得的基片作为工作电极，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，溶液B作为支持电解液，聚合，真空干燥，获得目标产物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 基底 表面 具有 触角 形貌 吡咯 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法，其特征在于其步骤为：1)吡咯使用前采用常压蒸馏，取128～131℃的馏分，然后避光氮气气氛下冷藏备用；2)将高氯酸锂或对甲苯磺酸钠溶于水中，得到溶液A；3)在溶液A中，加入步骤1)所得的吡咯，并通氮气，得到溶液B，吡咯的摩尔浓度与高氯酸锂或对甲苯磺酸钠的摩尔浓度比为1∶(0.1～5)；4)将基片打磨后依次放入乙醇和水中超声波清洗备用；5)在三电极电解池中，将步骤4)所得的基片作为工作电极，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，溶液B作为支持电解液，聚合，真空干燥，获得目标产物。
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