[发明专利]一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电高分子材料聚吡咯，尤其是涉及一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法。

背景技术

聚吡咯(PPy)是一种重要的导电高分子材料。由于具有较低的成本、容易制备、较好的导电性、光电性、热电性、较好的生物细胞相容性、可以方便地沉积在各种基片上、可与其它功能材料共聚或复合、可在常温或低温下使用等优点，因而具有广阔的应用前景(参考文献：Iroh J O，W illiam s C.Synth.M et.，1999，99：1-8)。聚吡咯可用作导电材料、电致变色材料、二次电池阳极材料、防腐材料、医用材料、抗静电材料等，可用于制备传感器、传动器、固体电解质电容器等。(参考文献：Iroh J O，Williams C.Synth.Met.，1999，99：1-8.；Perruchot C，ChehimiMM，Delamar M.Synth.Met.，2000，113：53-63.；Talaie A，Lee J Y，Lee Y K.Thin SolidFilms，2000，363：163-166.；Somani P，Mandale A B，Radhakrishnan S.ActaMater.，2000，48：2859-2871.；Fritz B，Paul R.Electrochim.Acta，2000，45：2467-2482.；Su W，Iroh J O.Electrochim.Acta，1999，44：4655-4665.；A likacem N，Marois Y，Zhang Z.Artif.Organs，1999，23：910-919.；OmastovaM，Simon F.J.Mater.Sci.2000，35：1743-1749.；Zeng K，Tachikawa H，ZhuZ Y.Anal.Chem.，2000，72：2211-2215.；Mikito Y，Takashi N，Tomoyuki H.Sens.Actuators，2000，B66(1-3)：77-79.；Kemp N T，F lanagan G U，Kaiser A B.Synth.Met.，1999，101：434-435.；Lin C W，Yang J Y，Hwang B J.J.Chin.Inst.Chem.Eng.1999，30：449-456.；Kim B C，Spinks G，Too C O.React.Funct.Polym.，2000，44：31-40.；Takamatsu T，Taketani Y，JP 11 121 279，1999.；Kojima Y，Kamikawa H，Takamatsu T.JP 11 121 280，1999.)具有微触角形貌的聚吡咯作为生物传感器中识别元件(如酶、抗原和抗体等)的载体具有潜在的应用价值，其制备方法主要有模板法(参考文献：Oh S W，Woo R H，Lee C H.[J].CurrAppl Phys，2005，5(1)：55-58.；Che G，Lakshmi B B，Fisher E R.[J].Nature，1998，393：346-347.；Jerome C，Labaye D E，Jerome R.[J].Synth Met，2004，142：207-216.；Martin C R.[J].Science，1994，266：1961-1966.；Martin C R.[J].Chem Mater，1996，8(9)：2382-2390.)和非模板法(参考文献：Cai X W，Gao J S，Xie Z X.Langmuir，1998，14：2508-2514.Ge D T，Wang J X，Wang Z.Synth.Met.，2002，132：93-95.SeoI，Pyo M，Cho G J.Langmuir，2002，18：7253-7257)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属基底表面包覆具有微触角形貌的聚吡咯的制备方法。

本发明的技术方案是采用非模板法在金属基底表面恒电位合成具有微触角形貌的聚吡咯，以高氯酸锂(或对甲苯磺酸钠)、吡咯和铂片(或铁片、聚氯乙烯板材、聚酯板材)为原料。

本发明的步骤为：

1)吡咯使用前采用常压蒸馏，取128～131℃的馏分，然后避光氮气气氛下冷藏备用；

2)将高氯酸锂或对甲苯磺酸钠溶于水中，得到溶液A；

3)在溶液A中，加入步骤1)所得的吡咯，并通氮气，得到溶液B，吡咯的摩尔浓度与高氯酸锂或对甲苯磺酸钠的摩尔浓度比为1∶(0.1～5)；