[发明专利]一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法

摘要

一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构及其制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。

主权项

1、一种伴有串状结构的碳化硅纳米线，其特征在于伴有串状结构的碳化硅纳米线为立方碳化硅的单晶结构，中心杆的直径为50～100纳米，中心杆的外圈上有榆钱串状结构的碳化硅，榆钱串状结构的碳化硅的直径在100～500纳米，串状结构的碳化硅纳米线的最长可达4毫米。