[发明专利]一种HfO2高介电常数薄膜电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 200810047510.9 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101271927A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王浩;王毅;汪宝元;叶葱;冯洁;朱建华 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02;H01G4/33 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种同时具有低表面粗糙度、高介电常数、低漏电流和高界面质量的HfO2栅介质薄膜及其MOS电容器件制备方法。它以硅片为基片，其特征在于用脉冲激光沉积技术在其上沉积一层HfO2薄膜，再磁控溅射设备制备低电极和上图形电极。本发明采用成本相对较低的脉冲激光沉积设备和后氮气处理的方法获得了具有低表面粗糙度、高介电常数、低漏电流和高界面质量的HfO2栅介质薄膜及其MOS电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hfo sub 介电常数 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种HfO2高介电常数薄膜电容器，它以硅片为基片，其特征在于用脉冲激光沉积技术在其上沉积一层HfO2薄膜，再用磁控溅射设备制备低电极和上图形电极。
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