[发明专利]一种用常压化学气相沉积法制备Ti5Si3薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810046741.8 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101302609A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杜军;郑典模;肖鉴谋;张小林 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;C30B25/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330031江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种用常压化学气相沉积法制备Ti5Si3薄膜的方法。该方法采用常压化学气相沉积法，以SiH4和TiCl4为反应物原料，以N2为稀释气体和保护气氛。在玻璃基板上形成Ti5Si3薄膜。本发明对设备要求低、产量大、效率高，可得到不同形貌和性能的Ti5Si3薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常压 化学 沉积 法制 ti sub si 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用常压化学气相沉积法制备Ti5Si3薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1)反应物原料为SiH4和TiCl4，以N2为稀释气体和保护气氛；2)TiCl4恒温至30～60℃；TiCl4所经过的管路保温至40～70℃；3)通过气体发生器，用N2来携带TiCl4；4)SiH4、TiCl4和N2在混气室混合；各路气体在混气室入口处的压力相等，压力保持在111325～131325Pa之间；5)总反应气体中各种物质的摩尔浓度：a)SiH4：0.2～2％；b)TiCl4：0.4～2％；6)反应气体中SiH4/TiCl4摩尔比：0.5～1；7)沉积系统压力为101325～121325Pa；8)玻璃基板温度为650～750℃，混合气体输送到玻璃基板上进行反应，生成Ti5Si3薄膜，薄膜的生长速率为10～30纳米/秒，沉积时间为10～60秒；9)废气经过吸收处理后排放。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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