[发明专利]一种闪存存储器的制作方法有效
| 申请号： | 200810044004.4 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740521A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;孙娟;袁苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存存储器的制作方法，在形成栅极氮化硅侧墙之后包括以下步骤：1)在硅片表面淀积第一层氧化膜；2)对第一层氧化膜层进行反刻，在栅极结构上方刻蚀到硬质掩模层，在硅片表面的其他区域刻蚀到硅衬底，形成平缓的氧化膜侧墙；3)然后在硅片表面淀积第二层氧化膜；4)接着进行源漏的离子注入；5)采用湿法刻蚀工艺同时去除第一层氧化膜和第二层氧化膜；6)在硅片表面淀积层间膜薄膜。本发明在不改变器件其他性质的前提下，降低器件的截止电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闪存存储器的制作方法，其特征在于，在形成栅极氮化硅侧墙之后包括以下步骤：1)在硅片表面淀积第一层氧化膜；2)对第一层氧化膜层进行反刻，在栅极结构上方刻蚀到硬质掩模层，在硅片表面的其他区域刻蚀到硅衬底，形成平缓的氧化膜侧墙；3)然后在硅片表面淀积第二层氧化膜；4)接着进行源漏的离子注入；5)采用湿法刻蚀工艺同时去除第一层氧化膜和第二层氧化膜；6)在硅片表面淀积层间膜薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
