[发明专利]精确评估栅氧可靠性能的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 200810043988.4 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740549A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘玉伟;张会锐;卜皎;曹刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种精确评估栅氧可靠性能的测试结构，包括MOS结构，MOS结构的栅氧化层上并联有多晶硅熔丝。所述MOS结构是N型晶体管、P型晶体管或栅氧电容。本发明在栅氧化层并联一个可熔断的多晶硅熔丝，该多晶硅熔丝在测试前包括工艺过程中能够将等离子体以及静电等可能的损伤引导走；在进行测试的过程中，将多晶硅熔丝熔断掉，则可以针对界面态缺陷及可动离子等方面进行电荷泵和CV等相关定量测试分析，能够精确评估栅氧化层的可靠性能。本发明还公开了精确评估栅氧可靠性能的测试方法。 | ||
| 搜索关键词： | 精确 评估 可靠 性能 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种精确评估栅氧可靠性能的测试结构，其特征在于：包括MOS结构，MOS结构的栅氧化层上并联有多晶硅熔丝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810043988.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废料回收传送装置
- 下一篇：一种可供热的传动辊筒
