[发明专利]闪存中源极和漏极的制作方法

摘要

一种闪存中源极和漏极的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；进行第一离子的注入；在半导体衬底、第一类栅结构以及第二类栅结构的表面形成阻挡层；刻蚀阻挡层，直至相邻的第二类栅结构之间的阻挡层被去除至露出半导体衬底表面；进行第二离子的注入，在相邻的两个第二类栅结构之间露出的半导体衬底中进行补充掺杂，形成具有补充掺杂的独立源极和漏极；去除阻挡层的残余部分。本发明的优点在于，采用两次离子注入，分别满足了闪存中相邻第一类栅结构之间以及第一类栅结构与相邻的第二类栅结构之间的共用源、漏极同闪存中其他独立的源极和漏极制作中对掺杂浓度的不同要求，使得闪存工作电流稳定，从而确保闪存的工作效率。

主权项

1.一种闪存中源极和漏极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有若干第一类栅结构和若干第二类栅结构，所述若干第一类栅结构构成阵列，所述若干第二类栅结构位于所述若干第一类栅结构所构成的阵列的外围，相邻的第二类栅结构之间具有浅沟槽结构，相邻的两个第一类栅结构之间的距离，以及第一类栅结构与和它相邻的第二类栅结构之间的距离，都小于两个相邻第二类栅结构之间的距离；进行第一离子的注入，在第一类栅结构两侧以及第二类栅结构两侧的半导体衬底中都形成掺杂区域，所述掺杂区域用以形成共用源、漏极以及相邻的第二类栅结构之间的独立的源极和漏极；在半导体衬底、第一类栅结构以及第二类栅结构的表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖半导体衬底且覆盖所述第一类栅结构和第二类栅结构的表面和侧壁；刻蚀阻挡层，直至相邻的第二类栅结构之间的阻挡层被去除至露出半导体衬底表面；进行第二离子的注入，在相邻的两个第二类栅结构之间露出的半导体衬底中进行补充掺杂，形成具有补充掺杂的独立源极和漏极；去除阻挡层的残余部分。