[发明专利]一种半导体量子阱光子探测器件无效
| 申请号： | 200810039212.5 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101299445A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 安正华;周磊;陈张海;沈学础 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L31/111 | 分类号： | H01L31/111 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光探测技术领域，具体为一种半导体量子阱光子探测器。该探测器包括一半导体层，在该半导体层一侧表面附近有量子阱层，该量子阱层中具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；一金属层，在半导体一侧表面上，该金属层中具有亚波长孔周期性结构；一入射光波，在垂直于半导体一侧表面和量子阱层的方向上，从金属层正面或半导体层的另一侧表面入射，并最终被量子阱层所吸收。本发明利用金属亚波长周期性结构进行光耦合，实现量子阱结构对垂直入射光的有效吸收；同时将半导体能带工程技术与金属周期性结构的表面等离子体技术相结合，实现耦合方式的方便调谐和在很宽波长范围内的半导体量子阱光波探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 量子 光子 探测 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体量子阱光子探测器，其特征在于包括：半导体层(102)，在该半导体层(102)一侧表面(104)附近有量子阱层(106)，该量子阱层(106)中具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；一金属层(108)，在半导体一侧表面(104)上，该金属层中具有亚波长孔周期性结构；一入射光波(110)，在垂直于半导体一侧表面(104)和量子阱层(106)的方向上，从金属层(108)正面或半导体层(102)的另一侧表面入射，并最终被量子阱层(106)所吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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