[发明专利]一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法有效

申请号：	200810037819.X	申请日：	2008-05-22
公开（公告）号：	CN101587905A	公开（公告）日：	2009-11-25
发明（设计）人：	周伟民;宋志棠;钮晓鸣;刘彦伯;闵国全;李小丽;万永中;张静;封松林	申请（专利权）人：	上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号：	H01L27/24	分类号：	H01L27/24;H01L21/822;G11C11/56;G11C16/02
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	200237上海市***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory-CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
搜索关键词：	一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法
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【主权项】：

1.一种相变晶体管器件单元及其制作方法，其特征在于：在垂直于Si衬底的金属上(源极Source)制作相变阵列材料，用CVD方法蒸发介质材料，用电子束蒸发栅层(栅极Gate)，形成了相变材料-介质层-栅层同轴结构。在相变材料顶端沉积金属层(漏极Drain)；

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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