[发明专利]相移掩膜缺陷修复方法有效

专利信息
申请号: 200810036586.1 申请日: 2008-04-24
公开(公告)号: CN101566786A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 陈建山 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 屈 蘅;李时云
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭露了一种相移掩膜缺陷的修复方法,其于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时,利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板,包括以下步骤:设定聚焦离子束的临界刻蚀次数;利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数。可见,本发明利用聚焦离子束刻蚀需要修复的基板区域直至达到此区域的厚度所带来的相位延迟接近或达到无缺陷时的要求并利用临界刻蚀次数来决定上述需刻蚀的深度,从而突破了现有技术的瓶颈,满足了现有技术中无法很好修复的相移掩膜的规格要求。
搜索关键词: 相移 缺陷 修复 方法
【主权项】:
1.一种相移掩膜缺陷的修复方法,其特征是,包括:于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时,利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板,其包括:设定聚焦离子束的临界刻蚀次数;利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数。
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