[发明专利]相移掩膜缺陷修复方法

权利要求书

1.一种相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，包括：

于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时，利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板，其包括：

设定聚焦离子束的临界刻蚀次数，且该聚焦离子束的临界刻蚀次数需满足在完成这些次数的刻蚀时，缺陷所在区域的厚度的相位延迟效果与无缺陷时的相位延迟效果接近或相同；

利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数；

其中上述聚焦离子束的临界刻蚀次数是通过以下方法确定的：

(1)在一刻蚀次数区间内，选取多个刻蚀次数，绘制经刻蚀的相移掩膜的光栅图像中缺陷所在处透光区与正常透光区光栅宽度之比以及缺陷所在处非透光区与正常非透光区光栅宽度之比与刻蚀次数的关系曲线；

(2)根据步骤(1)所得到的关系曲线，缩小刻蚀次数区间；

(3)在缩小的刻蚀次数区间内，选取多个刻蚀次数，绘制经刻蚀的相移掩膜的光栅图像中缺陷所在处透光区与正常透光区光栅宽度之比以及缺陷所在处非透光区与正常非透光区光栅宽度之比与刻蚀次数的关系曲线；

(4)根据步骤(3)中所得到的关系曲线，选取曲线中宽度之比最接近理想修复比值，即100％，的点所对应的刻蚀次数作为聚焦离子束的临界刻蚀次数。

2.根据权利要求1所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中选取的临界刻蚀次数于步骤(3)中所得到的关系曲线中所对应的宽度之比在90％到110％之间。

3.根据权利要求1所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中上述步骤(1)中所得到的透光区与非透光区所对应的两关系曲线相交两次。

4.根据权利要求3所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中上述缩小的刻蚀次数区间的中心点为某一选取的刻蚀次数，

其中该选取的刻蚀次数临近于步骤(1)中所得到的两关系曲线第一次的相交点且于该两关系曲线中所对应的宽度之比接近理想修复比值，即100％。

5.根据权利要求1所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中上述相移掩膜的光栅图像的光栅宽度规格为0.3微米。

6.根据权利要求5所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中上述临界刻蚀次数为3100次。

7.根据权利要求6所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中上述刻蚀次数区间为500到5000次。

8.根据权利要求7所述的相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，其中上述缩小的刻蚀次数区间为2500到3500次。