[发明专利]光电转换装置、电子设备、以及光电转换装置的制造方法有效
| 申请号: | 200810009974.0 | 申请日: | 2008-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN101246894A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 楠本直人;西和夫;菅原裕辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/482;H01L21/84;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;刘宗杰 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置,包括:其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底;在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路;设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极;设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极;包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结,该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。 | ||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换装置,包括:设置在具有绝缘表面的衬底的表面上的接收光的光电二极管以及放大所述光电二极管的输出的放大电路;覆盖所述光电二极管以及所述放大电路的绝缘层;形成在所述绝缘层上的第一以及第二输出端子,所述第一输出端子与所述光电二极管连接并且所述第二输出端子与所述放大电路连接;以及第一以及第二连接电极,分别与所述第一以及第二输出端子连接,其中,所述第一以及第二连接电极各自从所述绝缘层的上表面到所述衬底的侧面的一部分连续延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810009974.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制备四氢呋喃聚合物的方法
- 下一篇:具有抗失延裂纹的药皮焊条及由此产生的堆焊
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





