[发明专利]光电转换装置、电子设备、以及光电转换装置的制造方法有效
| 申请号: | 200810009974.0 | 申请日: | 2008-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN101246894A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 楠本直人;西和夫;菅原裕辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/482;H01L21/84;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;刘宗杰 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种光电转换装置,包括:
设置在具有绝缘表面的衬底的表面上的接收光的光电二极管以及放大所述光电二极管的输出的放大电路;
覆盖所述光电二极管以及所述放大电路的绝缘层;
形成在所述绝缘层上的第一以及第二输出端子,所述第一输出端子与所述光电二极管连接并且所述第二输出端子与所述放大电路连接;以及
第一以及第二连接电极,分别与所述第一以及第二输出端子连接,
其中,所述第一以及第二连接电极各自从所述绝缘层的上表面到所述衬底的侧面的一部分连续延伸。
2.一种光电转换装置,包括:
设置在具有绝缘表面的衬底的表面上的接收光的光电二极管以及放大所述光电二极管的输出的放大电路;
覆盖所述光电二极管以及所述放大电路的绝缘层;
形成在所述绝缘层上的第一以及第二输出端子,所述第一输出端子与所述光电二极管连接并且所述第二输出端子与所述放大电路连接;以及
第一以及第二连接电极,分别与所述第一以及第二输出端子连接,
其中,所述衬底包括从端面朝所述表面向内倾斜的锥形部分,
并且,所述第一以及第二连接电极各自从所述绝缘层的上表面到所述衬底的所述锥形部分的端部连续延伸。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其中,所述光电二极管具有层合有p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层的结构。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换装置,其中,所述放大电路是电流镜电路。
5.根据权利要求4所述的光电转换装置,其中,所述电流镜电路由薄膜晶体管构成。
6.一种包括权利要求1至5中任一项所述的光电转换装置的电子设备。
7.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:
在具有绝缘表面的衬底上形成放大电路以及与所述放大电路连接的光电二极管;
形成覆盖所述放大电路以及所述光电二极管的绝缘层;
在所述绝缘层上形成第一以及第二输出端子,所述第一输出端子与所述光电二极管连接并且所述第二输出端子与所述放大电路连接;以及
形成第一以及第二连接电极,分别与所述第一以及第二输出端子连接,
其中,所述第一以及第二连接电极各自从所述绝缘层的上表面到所述衬底的侧面的一部分连续延伸。
8.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:
在具有绝缘表面的衬底的表面上形成接收光的光电二极管以及包括放大所述光电二极管的输出的放大电路的多个集成电路;
形成覆盖所述多个集成电路的绝缘层;
在所述绝缘层上对于所述多个集成电路的每一个形成第一以及第二输出端子,所述第一输出端子与所述光电二极管连接并且所述第二输出端子与所述放大电路连接;
在所述多个集成电路之间的所述绝缘层和所述衬底中形成V字状的槽;
覆盖所述绝缘层的上表面的一部分且填充所述V字状的槽地形成第一以及第二连接电极,所述第一以及第二连接电极分别与所述第一以及第二输出端子连接;以及
在所述V字状的槽的大略中间将所述多个集成电路分开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





