[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储装置及其操作方法，示例实施例的非易失性存储装置能够具有提高的集成度和可靠性。示例实施例的非易失性存储装置可包括：第一控制栅极，在半导体基底上；第一电荷存储层，可位于半导体基底和第一控制栅极之间；源区，可限定在位于第一控制栅极的一侧的半导体基底中；第一辅助栅极，可位于第一控制栅极的另一侧，并可凹陷到半导体基底中第一漏区，可限定在位于第一辅助栅极的与第一控制栅极相对的一侧的半导体基底中；位线，可连接到第一漏区。

主权项

1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：半导体基底，包括源区和第一漏区；第一控制栅极，在半导体基底上，所述源区被限定在位于第一控制栅极的第一侧的半导体基底中；第一电荷存储层，位于半导体基底和第一控制栅极之间；第一辅助栅极，位于第一控制栅极的第二侧，第一辅助栅极凹陷到基底中，所述第一漏区被限定在位于第一辅助栅极的第一侧的半导体基底中，所述第一辅助栅极的第一侧与第一控制栅极相对；位线，连接到第一漏区。