[发明专利]半导体集成电路、内置它的RF模块和安装它的无线通信终端装置有效
申请号: | 200780041403.9 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101536327A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 小屋茂树;高谷信一郎;小川贵史;中岛秋重;重野靖 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H04B1/44 | 分类号: | H04B1/44 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;于英慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是减小安装在RF通信终端装置上的、对收发信号进行转换的天线开关中的WCDMA方式下重要的交调失真或者GSM方式下重要的谐波失真,采用以下结构作为解决手段。将提供收发信号的一方的高频开关(Qm)控制为导通,而将提供其他方式的信号的另一方的高频开关(Qn)控制为断开。将在另一方的高频开关(Qn)中接近与天线连接的公共输入输出端子I/O的输入输出接近FET(Qn1)的输入输出接近栅极电阻(Rg1n…Rg3n)的V·I特性的线性度设定成高于中间部FET(Qn3、Qn4)的中间部栅极电阻(Rg3n、Rg4n)的V·I特性的线性度。即使向输入输出接近栅极电阻(Rg1n…Rg3n)以及中间部栅极电阻(Rg3n、Rg4n)供给不均匀的RF泄漏信号,也可以减少流入接近输入输出端子I/O的输入输出接近栅极电阻(Rg1n…Rg3n)的电流的失真。 | ||
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【主权项】:
1. 一种半导体集成电路,其特征在于,包含多个高频开关,上述多个高频开关的一方的高频开关的一端和上述多个高频开关的另一方的高频开关的一端与公共输入输出端子连接,上述公共输入输出端子能与无线电频率通信终端设备的天线连接,能向上述一方的高频开关的另一端供给基于规定的通信方式的RF发送信号和RF接收信号,且能向上述另一方的高频开关的另一端供给与上述RF发送信号和上述RF接收信号不同的其他的RF发送信号和其他的RF接收信号中的至少任意一方,上述一方的高频开关包含串联连接的多个场效应晶体管,上述另一方的高频开关包含串联连接的其他的多个场效应晶体管,能向上述一方的高频开关的上述多个场效应晶体管的多个栅极供给用于上述一方的高频开关的开关控制的控制电压,且能向上述另一方的高频开关的上述其他的多个场效应晶体管的其他的多个栅极供给用于上述另一方的高频开关的开关控制的其他的控制电压,在上述一方的高频开关的上述多个场效应晶体管的上述多个栅极和被供给上述控制电压的控制端子之间连接有多个电阻,在上述另一方的高频开关的上述其他的多个场效应晶体管的上述其他的多个栅极和被供给上述其他的控制电压的其他的控制端子之间连接有其他的多个电阻,在上述另一方的高频开关中,上述其他的多个场效应晶体管中的与上述公共输入输出端子最接近的输入输出接近场效应晶体管的栅极和上述其他的控制端子之间的输入输出接近电阻具有第一电压电流特性,在上述另一方的高频开关中,上述输入输出接近场效应晶体管和上述其他的多个场效应晶体管中的与上述另一方的高频开关的上述另一端最接近的另一端接近场效应晶体管之间的中间部的中间部场效应晶体管的栅极和上述其他的控制端子之间的中间部电阻具有第二电压电流特性,在上述另一方的高频开关中,上述输入输出接近电阻的上述第一电压电流特性的线性度被设定成高于上述中间部电阻的上述第二电压电流特性的线性度。
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