[发明专利]半导体集成电路、内置它的RF模块和安装它的无线通信终端装置

说明书

技术领域

本发明涉及内置有用于无线通信系统的收发切换转换电路(天 线开关)的半导体集成电路、内置有该半导体集成电路的RF(无线 电频率)模块以及设置有该半导体集成电路的无线通信终端装置。 尤其涉及有益于减小WCDMA方式中重要的交调失真或者GSM方 式中重要的谐波失真的技术。

另外，本发明涉及包含DC升压(DC Boost)电路的半导体集成 电路和内置有该半导体集成电路的RF模块，尤其在提高装置的寿命 和工作可靠性方面是有效的技术。

背景技术

在世界上的任何地方都可进行无线通信的移动电话终端等通信 终端设备的能力即无所不在的覆盖范围(coverage)目前还没实现， 现在正在进行开发。

用于实现无所不在的移动系统，有GSM(Global System for Mobile Communication)、PCS(Personal Communication System)、 DCS(Digital Cellular System)、GPRS(General Packet Radio Service)、 EDGE(Enhanced Data for GSM Evolution；Enhanced Data for GPRS)、 WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)等的蜂窝 (cellular)。这些系统的特性，涉及一定包线和包线变化的信号、 时分割和码分割的多路复用、从高(数瓦特)到低(微瓦特)发送 输出功率的较广范围的组合。其结果，多频段(multiband)多模式 (multimode)的应用的要求变大。

另一方面，在下述非专利文献1中，记载有用于GSM、DCS、 PCS、WCDMA的四频(quadband)的天线开关微波单片IC(MMIC)。 该MMIC可以在采用时分割对GSM方式、DCS方式和PCS方式的各 方式的发送信号和接收信号进行串联处理的同时，采用码分割对 WCDMA方式的发送信号和接收信号进行并列处理。开关使用AlGaAs 作为阻挡层、使用InGaAs作为通道层，并且使用具有低导通电阻的异 质结结构的HEMT(High Electron Mobility Transistor)。另外，在下述 非专利文献1中记载有：在DCS和PCS2的发送端子上，2次谐波失真 和3次谐波失真大约变为-70dBc。

另外，在下述专利文献1中记载有用于无线通信系统的收发转换电 路的开关电路。串联连接的FET的栅极电阻，从高电压一方到低电压 一方依次采用较小电阻，由此来避免由于来自导通状态的开关电路的高 电压使得断开状态的开关电路的串联连接的FEF的高电压一方的FET 最初变成导通状态。其结果，可以提供插入损失和谐波失真较小的通信 用电子部件。

另外，在下述专利文献2中记载有用于移动通信设备的高频开关电 路。在断开状态的高频开关电路的串联连接的多个FET中，只对距离 施加了来自导通状态的高频开关电路的高电压的输入/输出端子最近的 FET栅极电阻进行最大的设定，其他的栅极电阻设定为低于最大值。其 结果，栅极电阻的电阻值的合计变小的同时，可以减小对信号通路的影 响。

另外，在下述专利文献3中，记载有用于移动通信机的开关电路。 开关电路由具有2个以上的多个栅极的FET构成，在FET的漏极和漏 极邻接栅极之间连接有漏极附加电容，在FET的源极和源极邻接栅极 之间连接有源极附加电容。通过断开状态的开关的FET的漏极和漏极 邻接栅极之间的漏极附加电容，可以压制由于来自导通状态的开关电路 的负方向的电压的偏差而使断开状态的开关的FET导通的现象。另外， 通过断开状态的开关的FET的源极和源极邻接栅极之间的源极附加电 容，可以压制由于来自导通状态的开关电路的正方向的电压的偏差而使 断开状态的开关的FET为导通的现象。其结果，采用低电压可以实现 低失真特性的高频开关。另外，对应下述专利文献3的美国专利为第5, 774,792号说明书。

另外，在下述专利文献4中记载有用于移动终端等的无线通信设备 的天线开关电路。天线开关电路的FET，采用在漏极·源极之间具有多 个栅极的多栅晶体管。被多个栅极的邻接的栅极夹着的栅极间区域经由 电位稳定化电阻与漏极和源极进行连接，由此可以抑制多栅型的FET 的漏极·源极之间的信号泄漏。