[发明专利]半导体集成电路、内置它的RF模块和安装它的无线通信终端装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，

包含多个高频开关，

上述多个高频开关的一方的高频开关的一端和上述多个高频开 关的另一方的高频开关的一端与公共输入输出端子连接，上述公共 输入输出端子能与无线电频率通信终端设备的天线连接，

能向上述一方的高频开关的另一端供给基于规定的通信方式的 RF发送信号和RF接收信号，且能向上述另一方的高频开关的另一 端供给与上述RF发送信号和上述RF接收信号不同的其他的RF发 送信号和其他的RF接收信号中的至少任意一方，

上述一方的高频开关包含串联连接的多个场效应晶体管，上述 另一方的高频开关包含串联连接的其他的多个场效应晶体管，

能向上述一方的高频开关的上述多个场效应晶体管的多个栅极 供给用于上述一方的高频开关的开关控制的控制电压，且能向上述 另一方的高频开关的上述其他的多个场效应晶体管的其他的多个栅 极供给用于上述另一方的高频开关的开关控制的其他的控制电压，

在上述一方的高频开关的上述多个场效应晶体管的上述多个栅 极和被供给上述控制电压的控制端子之间连接有多个电阻，在上述 另一方的高频开关的上述其他的多个场效应晶体管的上述其他的多 个栅极和被供给上述其他的控制电压的其他的控制端子之间连接有 其他的多个电阻，

在上述另一方的高频开关中，上述其他的多个场效应晶体管中 的与上述公共输入输出端子最接近的输入输出接近场效应晶体管的 栅极和上述其他的控制端子之间的输入输出接近电阻具有第一电压 电流特性，

在上述另一方的高频开关中，上述输入输出接近场效应晶体管 和上述其他的多个场效应晶体管中的与上述另一方的高频开关的上 述另一端最接近的另一端接近场效应晶体管之间的中间部的中间部 场效应晶体管的栅极和上述其他的控制端子之间的中间部电阻具有 第二电压电流特性，

在上述另一方的高频开关中，上述输入输出接近电阻的上述第 一电压电流特性的线性度被设定成高于上述中间部电阻的上述第二 电压电流特性的线性度。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述另一方的高频开关中，上述输入输出接近电阻由第一半 导体层构成，上述中间部电阻由其单位面积电阻率大于上述第一半 导体层的单位面积电阻率的第二半导体层构成。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述另一方的高频开关中，上述输入输出接近电阻由金属层 构成，上述中间部电阻由半导体层构成。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述另一方的高频开关中，上述其他的多个场效应晶体管中 的与上述另一方的高频开关的上述另一端最接近的上述另一端接近 场效应晶体管的栅极和上述其他的控制端子之间的另一端接近电阻 具有第三电压电流特性，

在上述另一方的高频开关中，上述另一端接近电阻的上述第三 电压电流特性的线性度被设定成高于上述中间部电阻的上述第二电 压电流特性的上述线性度。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，

上述输入输出接近电阻的电阻值被设定成大于上述中间部电阻 的电阻值，上述另一端接近电阻的电阻值被设定成大于上述中间部 电阻的电阻值。