[发明专利]用于改善碳化硅MOSFET中反型层迁移率的方法无效
| 申请号： | 200780032138.8 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101512727A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·C·勒德尔;埃纳尔·O·斯文比约登松;哈尔多尔·O·奥拉夫松;古德约·I·古德永松;卡尔·F·阿勒斯坦 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造基于SiC衬底(12)的半导体器件的方法，包括步骤：以足够高的氧化率在SiC衬底(12)的Si端面上形成(201)氧化物层(14)从而获得小于5×1011cm-2的邻近界面陷阱浓度；以及在含氢气的环境中使得经过氧化的SiC衬底退火(202)，以使得在氧化物形成步骤中形成的深陷阱钝化，从而能制造具有改善的反型层迁移率和减小的阈值电压的基于SiC的MOSFET(10)。本发明人已经发现当SiC衬底的Si面受到快速氧化时，DT的浓度增加，而NIT的浓度减小。根据本发明，可以通过氢气退火来使得在快速氧化期间形成的深陷阱钝化，从而导致在氧化物上形成的半导体器件的阈值电压明显降低。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 碳化硅 mosfet 中反型层 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造基于SiC衬底(12)的半导体器件的方法，包括步骤：以足够高的氧化率在SiC衬底(12)的Si端面上形成(201)氧化物层(14)来获得小于5×1011cm-2的邻近界面陷阱浓度；以及在含氢气的环境中使得经过氧化的SiC衬底退火(202)，以使得在所述氧化物形成步骤中形成的深陷阱钝化，从而能制造具有改善的反型层迁移率和减小的阈值电压的基于SiC的MOSFET(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
