[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明提供一种倒装芯片安装型的半导体发光元件，该发光元件可以进行蓝色或紫外发光，功率高，效率高，并且光取出面的明亮度均一性高。该半导体发光元件在透明的基板(21)上具有薄膜结晶层、第二导电型侧电极(27)、第一导电型侧电极(28)，光取出方向为基板侧，电极(28)和电极(27)在空间上不重叠且形成在光取出方向的相反侧，薄膜结晶层的侧壁面与基板(21)端相比向后退，绝缘层从离开基板面端的位置开始覆盖内侧，将薄膜结晶层的全部侧面被覆，并与第一导电型侧电极的光取出方向侧的一部分相接，覆盖第二导电型侧电极的光取出方向的相反侧的一部分，用于提高射出的光的均一性的光均一化层设置在基板和第一导电型半导体层之间。

主权项

1. 一种化合物半导体发光元件，其在对发光波长透明的基板上具有化合物半导体薄膜结晶层、第二导电型侧电极和第一导电型侧电极，所述化合物半导体薄膜结晶层具有第一导电型半导体层、活性层结构和第二导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包含第一导电型包层，所述第二导电型半导体层包含第二导电型包层，所述化合物半导体发光元件的主要的光取出方向在所述基板侧，其特征在于，所述第一导电型侧电极和所述第二导电型侧电极在空间上相互不重叠且形成在所述主要的光取出方向的相反侧；所述化合物半导体发光元件在所述基板和所述第一导电型半导体层之间具有光均一化层，所述光均一化层使从光取出面射出的光的均一性提高，并且，所述化合物半导体发光元件在所述基板和所述光均一化层之间具有作为任选的缓冲层；在所述发光元件端，所述薄膜结晶层的侧壁面之中至少所述第一导电型半导体层、所述活性层结构和所述第二导电型半导体层的侧壁面与所述基板端相比向后退而形成后退侧壁面；该发光元件具有绝缘层，所述绝缘层至少覆盖所述第一导电型半导体层、所述活性层结构和所述第二导电型半导体层的后退侧壁面；该绝缘层：(a)与所述第一导电型侧电极的主要的光取出方向侧的一部分相接，覆盖所述第二导电型侧电极的与主要的光取出方向相反一侧的一部分，并且(b)从离开发光元件端的位置开始至少被覆后退侧壁面。