[发明专利]半导体发光元件及晶片无效

专利信息
申请号: 200780015141.9 申请日: 2007-04-27
公开(公告)号: CN101432898A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 龟井英德;品川修一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供能够不增加制造工序,提高取光率的半导体发光元件及晶片。在单结晶基板上叠层化合物半导体层(3),通过分割单结晶基板单片化形成的半导体发光元件(1),分割的单结晶基板的单片基板(2)的侧面(21~24),使其与单结晶基板中的结晶构造的解理面为不同的面,使做为单片基板(2)的基准的侧面(21),相对于(1-100)面成为15°角。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 晶片
【主权项】:
1. 一种半导体发光元件,是在单结晶基板上叠层化合物半导体层,再分割上述单结晶基板成为单片而形成的,其特征在于:上述单结晶基板,具有(0001)面为叠层了上述化合物半导体层的叠层面,(1-100)面、(1-110)面、(-1010)面、(-1100)面、(01-10)面、及(10-10)面为解理面的六方晶系的结晶构造,分割单结晶基板而成的单片基板所有的侧面,是由与上述单结晶基板的上述解理面不同的面形成的。
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