[发明专利]为MOSFET开关降低插入损耗并提供掉电保护的方法

摘要

公开了包括单个或并联相反极性FET的FET开关，该开关具有从内部功率轨驱动的阱。在一种情况下，该内部功率轨通过其它驱动FET开关逻辑耦接到正电源或信号电平中较高的一个，其中PMOS FET开关的阱将不允许漏极/源极到阱的二极管被正向偏置。在第二种情况下，第二功率轨逻辑耦接到输入信号或地中较低的一个，其中NMOS FET的阱将不允许漏极/源极到阱的二极管被正向偏置。

主权项

1、一种开关，包括：具有栅极、源极、漏极和阱的第一场效应晶体管FET，其中当该第一FET导通时，输入信号在漏极或源极上被接收，而输出信号分别给出到源极或漏极；第一内部功率轨；第二FET，布置成使得当第一FET截止时，该第二FET导通，从而将第一FET的阱耦接到第一内部功率轨；第三FET，当输入信号变低时，该第三FET将内部功率轨耦接到正电源；及第四FET，当正电源变低时，该第四FET将内部功率轨耦接到输入信号，其中第一FET的阱将维持在正电源或者A输入信号中较高的一个。