[发明专利]等离子体掺杂方法以及装置无效
| 申请号： | 200780001172.9 | 申请日： | 2007-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101356625A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 掺杂 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体掺杂方法，在真空容器(1)内的试料电极(6)上载置试料(7)，一边向所述真空容器内供应等离子体掺杂用气体，一边使所述真空容器内排气，将所述真空容器内控制为等离子体掺杂用压力，同时使所述真空容器内的所述试料的表面与对置电极的表面之间产生等离子体，向所述试料电极供电，在设所述试料表面中与所述对置电极相对一侧的表面的面积为S，所述试料电极与所述对置电极的距离为G时，在满足下式(1)[式1]
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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