[发明专利]等离子体掺杂方法以及装置

权利要求书

1.一种等离子体掺杂方法，

在真空容器内的试料电极上载置试料，

一边向所述真空容器内供应等离子体掺杂用气体，一边使所述真空容 器内排气，将所述真空容器内控制为等离子体掺杂用压力，同时使所述真 空容器内的所述试料的表面与对置电极的表面之间产生等离子体，向所述 试料电极供电，

向与所述试料电极相对配置的所述对置电极供应高频电力，

在设所述试料表面中与所述对置电极相对一侧的表面的面积为S，所 述试料电极与所述对置电极的距离为G时，在满足下式(1)

[式1]

0.1(S/π)<G<0.4(S/π)---(1)]]>

的状态下，进行向所述试料的表面导入杂质的等离子体掺杂处理。

2.如权利要求1所述的等离子体掺杂方法，

在所述真空容器内的所述试料电极上载置所述试料后、向所述试料电 极供电之前，

将所述真空容器内的压力保持为高于所述等离子体掺杂用压力的等 离子体产生用压力，同时向所述对置电极供应高频电力，使所述真空容器 内的所述试料表面与所述对置电极的表面之间产生等离子体，所述等离子 体产生后，使所述真空容器内的压力逐渐降低至所述等离子体掺杂用压 力，在达到所述等离子体掺杂用压力后，向所述试料电极供电。

3.如权利要求1所述的等离子体掺杂方法，

在所述真空容器内的所述试料电极上载置所述试料后、向所述试料电 极供电之前，

向所述真空容器内，供应与稀释所述等离子体掺杂用气体的杂质原料 气体的稀释气体相比在低压下更容易放电的等离子体产生用气体，将所述 真空容器内的压力保持为等离子体掺杂用压力，同时向所述对置电极供应 高频电力，由此使所述真空容器内的所述试料表面与所述对置电极表面之 间产生等离子体，在所述等离子体产生后，将向所述真空容器内供应的气 体切换为所述等离子体掺杂用气体，在所述真空容器内切换为所述等离子 体掺杂用气体后，向所述试料电极供电。

4.如权利要求1所述的等离子体掺杂方法，

在所述真空容器内的所述试料电极上载置所述试料后、向所述试料电 极供电之前，

为使所述试料电极与所述对置电极的距离G大于所述式(1)的范围， 使所述试料电极与所述对置电极相对移动，在使所述试料电极离开所述对 置电极的状态下，一边向所述真空容器内供应等离子体掺杂用气体，一边 使所述真空容器内排气，将所述真空容器内控制为等离子体掺杂用压力， 同时向所述对置电极供应高频电力，由此使所述真空容器内的所述试料表 面与所述对置电极表面之间产生等离子体，在所述等离子体产生后，使所 述试料电极与所述对置电极相对移动，在所述距离G返回到满足所述式 (1)的状态后，向所述试料电极供电。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的等离子体掺杂方法，

被导入所述真空容器内的所述气体中的杂质原料气体的浓度为1％以 下。

6.如权利要求1～4中任意一项所述的等离子体掺杂方法，

被导入所述真空容器内的所述气体中的杂质原料气体的浓度为0.1％ 以下。